三星談?wù)撓乱淮?DRAM 解決方案

三星公開了其下一代 DRAM 和內(nèi)存解決方案的計(jì)劃，包括 GDDR7、DDR5、LPDDR5X 和 V-NAND。

三星詳細(xì)介紹下一代 36 Gbps GDDR7、32 Gb DDR5、8.5 Gbps LPDDR5X 和 1000+ 層 V-NAND DRAM 和內(nèi)存解決方案

三星宣布的三種主要 DRAM 和內(nèi)存解決方案包括其 32Gb DRAM 密度，與現(xiàn)有的 16Gb 相比，現(xiàn)有 16Gb 的容量增加了 33%，而24Gb DDR5 IC已經(jīng)開發(fā)了一段時(shí)間。

該公司還宣布了其首個(gè) GDDR7 內(nèi)存規(guī)格，該規(guī)格將提供高達(dá) 36 Gbps 的傳輸速率。與上個(gè)季度投入生產(chǎn)的三星當(dāng)前最快的 24 Gbps GDDR6 內(nèi)存解決方案相比，速度提高了 50%。AMD 的下一代 RDNA 3 GPU預(yù)計(jì)將率先采用全新的 GDDR6 模塊，但 GDDR7 必須等待一兩代才能看到它的實(shí)際應(yīng)用。

跨 384 位總線的 36 Gbps DRAM 接口應(yīng)提供高達(dá) 1.7 TB/s 的帶寬，而具有相同速度的 256 位總線接口將提供高達(dá) 1.15 TB/s 的帶寬。與美光當(dāng)前的 GDDR6X 解決方案相比，兩者的帶寬數(shù)據(jù)都要高得多。

新聞稿：先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者三星電子今天在 2022 年三星技術(shù)日展示了一系列旨在推動(dòng)未來(lái)十年數(shù)字化轉(zhuǎn)型的尖端半導(dǎo)體解決方案。自 2017 年以來(lái)的年度會(huì)議，該活動(dòng)回到了- 三年后在圣何塞希爾頓西嘉酒店入住的人。