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英特爾在為高性能計算機新時代制造量子芯片方面已經超越了一個關鍵里程碑。
英特爾宣布量子芯片生產具有影響力的里程碑,新的硅自旋量子比特設備取得了顯著成果
在位于俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾 Gordon Moore Park 晶體管研發(fā)設施中,英特爾實驗室和組件研究部宣稱已經建立了硅自旋量子比特設備的 EUV 生產或極紫外光刻技術的最高記錄。該公司的工程師和研究人員已經生產出具有非凡“均勻性”的量子芯片,在整個 300 毫米硅晶片上產生了 95% 的良率。
量子硬件總監(jiān) James Clarke 討論了他的團隊在利用現有晶體管制造技術制造硅自旋量子比特方面取得的進展。英特爾利用其半導體制造實力對于該公司在行業(yè)中發(fā)揮自身優(yōu)勢至關重要。預計該公司的硅芯片細化實例將應用于英特爾的高級量子計算。
在最新的博客文章中,據說第二代硅自旋測試芯片的測試和生產引發(fā)了關于公司在量子芯片制造方面進展的討論。英特爾的新量子設備使用 Cryoprober 進行采樣,在 1.7 開爾文或 -271.45°C 的淺溫度下運行,以保持量子比特的彈性,進而允許它們用于計算利用率。英特爾繼續(xù)致力于“室溫量子計算機”,這是英特爾在新興開發(fā)領域面臨的額外挑戰(zhàn)。
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