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英特爾在為高性能計(jì)算機(jī)新時(shí)代制造量子芯片方面已經(jīng)超越了一個(gè)關(guān)鍵里程碑。
英特爾宣布量子芯片生產(chǎn)具有影響力的里程碑,新的硅自旋量子比特設(shè)備取得了顯著成果
在位于俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾 Gordon Moore Park 晶體管研發(fā)設(shè)施中,英特爾實(shí)驗(yàn)室和組件研究部宣稱已經(jīng)建立了硅自旋量子比特設(shè)備的 EUV 生產(chǎn)或極紫外光刻技術(shù)的最高記錄。該公司的工程師和研究人員已經(jīng)生產(chǎn)出具有非凡“均勻性”的量子芯片,在整個(gè) 300 毫米硅晶片上產(chǎn)生了 95% 的良率。
量子硬件總監(jiān) James Clarke 討論了他的團(tuán)隊(duì)在利用現(xiàn)有晶體管制造技術(shù)制造硅自旋量子比特方面取得的進(jìn)展。英特爾利用其半導(dǎo)體制造實(shí)力對(duì)于該公司在行業(yè)中發(fā)揮自身優(yōu)勢(shì)至關(guān)重要。預(yù)計(jì)該公司的硅芯片細(xì)化實(shí)例將應(yīng)用于英特爾的高級(jí)量子計(jì)算。
在最新的博客文章中,據(jù)說(shuō)第二代硅自旋測(cè)試芯片的測(cè)試和生產(chǎn)引發(fā)了關(guān)于公司在量子芯片制造方面進(jìn)展的討論。英特爾的新量子設(shè)備使用 Cryoprober 進(jìn)行采樣,在 1.7 開(kāi)爾文或 -271.45°C 的淺溫度下運(yùn)行,以保持量子比特的彈性,進(jìn)而允許它們用于計(jì)算利用率。英特爾繼續(xù)致力于“室溫量子計(jì)算機(jī)”,這是英特爾在新興開(kāi)發(fā)領(lǐng)域面臨的額外挑戰(zhàn)。
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