SOITEC宣布POI使用高通技術的5G射頻濾波器取代業(yè)務協(xié)議

設計和制造創(chuàng)新半導體材料的行業(yè)領導者Soitec(巴黎泛歐交易所)今天宣布與Qualcomm Technologies，Inc.達成一項關于提供絕緣體上壓電( POI)工程襯底，用于4G和5G RF濾波器。Soitec的絕緣體上壓電基板為面向大眾市場的智能手機5G濾波器帶來了強大的價值主張。

一項確保高通技術公司新一代RF濾波器供應的協(xié)議

經(jīng)過與Qualcomm Technologies的多年合作，Soitec達成了一項協(xié)議，將POI晶片生產(chǎn)帶入大批量生產(chǎn)，以用于Qualcomm Technologies的RF濾波器用于智能手機RF。前端模塊。

高通德國公司高級副總裁兼RFFE總經(jīng)理克里斯蒂安·布洛克(Christian Block)表示：“憑借我們改變游戲規(guī)則的薄膜技術和Qualcomm®ultraSAW射頻濾波器產(chǎn)品的創(chuàng)新，我們繼續(xù)推動移動技術發(fā)展的極限。”RFFE GmbH。“這與Soitec公司協(xié)議的關鍵是保證高性能的POI基板Soitec公司從供應，并安全地支持我們的OEM客戶提供高性能高通ultraSAW RF濾波器產(chǎn)品的需求?；赟oitecSmart CutTM的壓電絕緣基板與Qualcomm Technologies的濾波器設計和系統(tǒng)專業(yè)知識相結合，可形成每個芯片具有多個濾波器功能的高產(chǎn)量多路復用器。”

Soitec的POI基板因其獨特的RF濾波器價值而被選中

POI是一種創(chuàng)新的基板，這要歸功于Soitec專有的150 mmSmart CutTM技術。它的基礎是高電阻率的硅基板，在其頂部由掩埋的氧化物層和非常薄且均勻的單晶壓電材料層所補充。Soitec的POI工程襯底被設計為構建最新一代的4G / 5G表面聲波(SAW)濾波器。它們具有內(nèi)置的溫度補償功能。

“這項商業(yè)協(xié)議是Soitec與Qualcomm Technologies合作的結果。Soitec全球業(yè)務部門高級執(zhí)行副總裁Bernard Aspar博士說：“我們非常高興Soitec POI基板現(xiàn)在成為高通技術5G移動設備產(chǎn)品的重要組成部分。”“ Soitec在服務于RF市場方面擁有豐富的經(jīng)驗，尤其是大量的RF-SOI。由于我們強大而成熟的Smart CutTM技術，我們對處理POI成為5G RF濾波器材料標準的能力充滿信心。”