據報道 臺積電將使用其5nm工藝生產2021年的Snapdragon 875

Qualcomm Snapdragon 865預計將成為芯片設計商為2020年高端手機設計的下一代頂級移動芯片組。對于那些沒有意識到的人，高通公司設計的芯片卻沒有制造它們的設備。在過去兩年中，它已轉向世界上最大的獨立代工廠臺積電(TSMC)，生產Snapdragon 845和855芯片組。在此之前，三星制造了Snapdragon 820和835 SoC。

并根據Sina.com發(fā)表的一份報告，高通公司返回三星生產的Snapdragon 865韓國科技巨頭將生產使用其7nm的EUV過程中的芯片。7nm的數(shù)字與芯片中的晶體管數(shù)量有關。該數(shù)字越低，芯片內可容納的晶體管數(shù)量越多;芯片中的晶體管越多，功能越強大，能效越高。摩爾定律是英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)在1965年提出的一項觀察，他要求集成電路(如芯片)中的晶體管數(shù)量每隔一年翻一番。為了向您展示我們已經走了多遠，德州儀器OMAP 3430芯片在2009年為摩托羅拉DROID提供動力，采用65納米工藝制造!

一個版本的Snapdragon 865可能配備集成的5G調制解調器芯片

7nm EUV的EUV部分代表極紫外光刻。這是一種利用紫外光束更精確地標記用于制造具有圖案的芯片的硅晶片的技術。這些圖案決定了晶體管放置在芯片內的位置，當使用短波長光束(如EUV使用的光束)在晶圓上蝕刻這些圖案時，可以在其內部填充更多的晶體管。預計使用EUV可為Snapdragon 865提供20%至30%的性能提升和30%至50%的能耗改善。這些數(shù)據不能輕易實現(xiàn)。Snapdragon 865移動平臺可能會在三星Galaxy S11上首次亮相，它很可能會在2月24日巴塞羅那舉行的2020年MWC展會開幕時亮相。該芯片最近在Geekbench基準測試網站上被發(fā)現(xiàn)它產生了多核心分數(shù)12,496。相比之下，Snapdragon 855+移動平臺產生的分數(shù)為10,946。后者是Snapdragon 855的超頻版本。

高通首席執(zhí)行官史蒂夫·莫倫科普夫(Steve Mollenkopf)帶領芯片設計師進軍5G領域

雖然2020年的Snapdragon 865將由三星制造，但該報告顯示，將有兩個不同版本的代號為Kona和Huracan的芯片組。兩者都支持LPDDX5內存芯片(RAM)和UFS 3.0閃存。但是，其中一個將與5G調制解調器芯片集成，另一個不會。上周，Huwaei發(fā)布了即將于9月6日亮相的即將推出的麒麟990 SoC的預告片。該組件預計將為制造商的下一代高端Mate 30電話線和可折疊的Mate X供電，它還將集成5G調制解調器芯片。這消除了對單獨組件的需要，并且還應該改善使用這些芯片組的設備的電池壽命。

新浪網稱，對于2021年的Snapdragon 875移動平臺，高通將再次呼吁臺積電生產該組件。該報告補充說，Snapdragon 875芯片組將采用臺積電的5nm工藝制造。如果情況確實如此，該芯片每平方毫米將有1.713億個晶體管。因此，該組件應該比其前身更強大和更節(jié)能。

那么摩爾定律會繼續(xù)有效嗎?去年，三星公布了一個導致3納米生產的路線圖，到2022年，臺積電也在尋找在芯片內部填充更多晶