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近日,麻省理工學院華裔科學家朱家迪帶領團隊,在原子級晶體管的研究方面取得突破,該項目的研究內(nèi)容一旦成功,將可以拋除光刻機生產(chǎn)出一納米甚至一納米以下的制程芯片,這一技術將會使計算機的尺寸縮小到目前的1‰大小,并且所消耗的能量也僅有目前的1‰左右。據(jù)了解,傳統(tǒng)的半導體芯片性能主要在于多層晶體管的堆疊,隨著當下人工智能的興起,發(fā)展計算機芯片成為了各行各業(yè)最迫切的需求。
該團隊所研發(fā)的新晶體管,只有3個原子左右的厚度,所以在堆疊方面上來看,能夠營造出更低的制造成本,花費最少的代價打造出性能更強大的芯片。該團隊的研究人員還就該晶體管研發(fā)出一種新型技術,能夠直接在完全知道的硅芯片中打造一層金屬二硫化物的材料層,這樣就能讓芯片與晶體管擁有更密集的集成性。不過由于晶片制造的過程需要600度左右的溫度,常規(guī)的硅晶體管在加熱到400度左右時會出現(xiàn)損壞的情況,因此在材料選擇方面將是一個重大的難點。
目前,麻省理工學院的該團隊研究人員,已經(jīng)開發(fā)出不會損壞芯片的低溫生長工藝,這項技術的運行能夠將二維半導體晶體管直接放置在標準硅電路中。這項新型技術還能夠減少制造時間,按照原先的傳統(tǒng)方法,需要一天的時間來制造芯片所用的單層二維材料,而這種全新的方法,只需要不到一個小時就能夠打造出八英寸的金屬二硫化物材料層。
根據(jù)相關專業(yè)人士分析,如果該團隊的這項信息新技術正式落地,一旦能夠在商用領域成功運用,那么可以大幅度的去降低當下芯片制造的成本。從而降低整個芯片市場的價格,對于如今的市場來說稱得上是一劑興奮劑,與芯片相關的各領域也將會因芯片性能的提升有大幅度的改善。
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