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三星開(kāi)發(fā)了新的堆垛工藝forDRAM

2020-04-01 11:34:09 編輯：來(lái)源：

導(dǎo)讀三星宣布，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)全D RAM疊加內(nèi)存包使用“通過(guò)硅通”(T SV)技術(shù)，這據(jù)稱導(dǎo)致內(nèi)存包更快，更小，消耗更少的功率。通常，存儲(chǔ)器芯片是通過(guò)電線鍵合連接的，這需要模具之間的垂直間隔。三星的WSP技術(shù)使用垂直在硅中制造的微米大小的孔直接用銅填充連接存儲(chǔ)電路，消除了對(duì)間隙的需求。三星電子(SamsungElectronics)內(nèi)存事業(yè)部互聯(lián)技術(shù)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)副總裁鐘泰京(Tae-Gyeong

三星宣布，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)全D RAM疊加內(nèi)存包使用“通過(guò)硅通”(T SV)技術(shù)，這據(jù)稱導(dǎo)致內(nèi)存包更快，更小，消耗更少的功率。通常，存儲(chǔ)器芯片是通過(guò)電線鍵合連接的，這需要模具之間的垂直間隔。三星的WSP技術(shù)使用垂直在硅中制造的微米大小的孔直接用銅填充連接存儲(chǔ)電路，消除了對(duì)間隙的需求。

三星電子(SamsungElectronics)內(nèi)存事業(yè)部互聯(lián)技術(shù)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)副總裁鐘泰京(Tae-Gyeong Chung)表示：“基于TSV的新型MCP（多芯片封裝）疊加技術(shù)提供了下一代封裝解決方案，將滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)小型、高速、高密度存儲(chǔ)器的需求。 “此外，我們的WSP技術(shù)所取得的性能進(jìn)步可用于許多不同的半導(dǎo)體封裝組合，例如邏輯與內(nèi)存相結(jié)合的封裝系統(tǒng)解決方案?！比堑腤SP技術(shù)不僅是為了減少封裝的整體尺寸，而且還允許芯片更快地運(yùn)行和使用更少的功率。雖然所有這些聽(tīng)起來(lái)都很有趣，但新聞稿暗示，這項(xiàng)技術(shù)是為2010年及以后的下一代計(jì)算系統(tǒng)設(shè)計(jì)的。

標(biāo)簽：三星