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3nm芯片表現(xiàn)不及預期 良率低 提升不明顯 離目標值太遠

2023-10-12 15:45:53 編輯:喬青興 來源:
導讀 近期,有專業(yè)的行業(yè)分析表示:三星和臺積電的3納米工藝,良率在50%左右。有知情人士爆料,三星要贏得高通等大客戶明年的3納米移動芯片訂單...

近期,有專業(yè)的行業(yè)分析表示:三星和臺積電的3納米工藝,良率在50%左右。有知情人士爆料,三星要贏得高通等大客戶明年的3納米移動芯片訂單,良品率至少需要達到70%左右。

3納米技術目前遇到的問題并不意外,是很多晶圓廠早在意料當中的。當下大規(guī)模集成電路興起,良品率一直提升不上來,讓很多公司都已經放棄了相關產品。比如iPhone15 Pro發(fā)熱的主要原因則是來源于設計以及芯片兩大部分,而芯片采用的是3納米工藝的A17 Pro。晶體管尺寸不斷逼近物理極限的同時,量子遂川效應也會帶來更加嚴重的問題。失控電子漏電會導致芯片更嚴重的發(fā)熱以及功耗等問題,從7納米技術之后,慢慢的發(fā)展至3納米技術,對于工廠的要求也越來越高。


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