三星推出其3nm節(jié)點(diǎn) 以誘使AMD和Nvidia等人遠(yuǎn)離臺(tái)積電

三星繼續(xù)通過(guò)向潛在合作伙伴展示其最新技術(shù)，推動(dòng)其成為最大的pureplay半導(dǎo)體代工廠的計(jì)劃，以吸引他們遠(yuǎn)離臺(tái)積電。三星很可能是世界上最大的科技公司之一，但它希望獲得更大份額的合約制造業(yè)，臺(tái)積電最近一直在吞并。目前，臺(tái)灣純合金代工廠占合約制造市場(chǎng)約50%，而三星則落后于不到15%。

為了搶占臺(tái)積電，這家韓國(guó)巨頭為其先進(jìn)的3nm柵極全能場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GAAFET)工藝發(fā)布了工藝設(shè)計(jì)套件，以便潛在客戶盡早開(kāi)始艱難的設(shè)計(jì)工作需要在全新的超級(jí)節(jié)點(diǎn)上創(chuàng)建芯片。

微不足道的3nm工藝是三星節(jié)目中第一個(gè)超越現(xiàn)有FinFET晶體管設(shè)計(jì)并進(jìn)入GAA布局的節(jié)點(diǎn)。與FinFET相比，Gate-All-Around晶體管可以更好地控制電流，特別是在較小規(guī)模的情況下。

在韓國(guó)聯(lián)合通訊社報(bào)道，最近三星代工論壇，在圣克拉拉，它邀請(qǐng)了800層半導(dǎo)體的BOD和顧客看到它的新工藝技術(shù)的進(jìn)步舉行。該公司表示，三星正在“積極推廣”其新工藝技術(shù)，以趕上臺(tái)積電，并削減其利潤(rùn)豐厚的50%市場(chǎng)份額。

3nm GAA工藝并不是該公司唯一購(gòu)買(mǎi)的工藝，還有另外四個(gè)FinFET工藝節(jié)點(diǎn)可用之前我們進(jìn)入了這種奇特的小型平版印刷術(shù)，所有這些都采用了新的極紫外(EUV)技術(shù)。三星還擁有7nm，6nm，5nm和4nm節(jié)點(diǎn)，但我們還不能完全確定它們是否都是同一基本工藝的衍生物。

臺(tái)積電擁有7nm +和6nm節(jié)點(diǎn)，作為AMD用于Ryzen 3000處理器和即將推出的Radeon Navi顯卡的7nm工藝的衍生產(chǎn)品。這意味著后續(xù)設(shè)計(jì)將或多或少地彼此兼容，從而大大縮短了制造轉(zhuǎn)移到更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的時(shí)間。

然而，臺(tái)積電的5nm工藝是一種全新的設(shè)計(jì)，需要采用全新的方法來(lái)構(gòu)建基于光刻的芯片，可能使其成本更高，并且公司需要更長(zhǎng)的時(shí)間才能為新節(jié)點(diǎn)準(zhǔn)備好芯片。

什么時(shí)候出現(xiàn)5NM硅?

然而，三星似乎保留了其所有四個(gè)FinFET節(jié)點(diǎn)的兼容性，這可能意味著它可能將產(chǎn)品從4nm的晶圓廠中淘汰出局，而臺(tái)積電仍然在工廠門(mén)口擠壓5nm。兩家公司的目標(biāo)都是在2020年上半年大規(guī)模生產(chǎn)各自的5nm節(jié)點(diǎn)，但三星的客戶可能會(huì)更快地轉(zhuǎn)換到4nm。這可能會(huì)給三星帶來(lái)一些過(guò)程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，并可能有利于市場(chǎng)份額。

這可能是臺(tái)積電董事會(huì)最近為其先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造業(yè)批準(zhǔn)了近40億美元額外資金的原因。這筆資金專(zhuān)門(mén)用于擴(kuò)展和升級(jí)臺(tái)積電的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)容量以及持續(xù)的研發(fā)。

如果臺(tái)積電開(kāi)始感受到熱度，并對(duì)即將來(lái)臨的硅片猛攻做出反應(yīng)，那么三星的規(guī)模就會(huì)隨之而來(lái)。