三星推出其3nm節(jié)點 以誘使AMD和Nvidia等人遠(yuǎn)離臺積電

三星繼續(xù)通過向潛在合作伙伴展示其最新技術(shù)，推動其成為最大的pureplay半導(dǎo)體代工廠的計劃，以吸引他們遠(yuǎn)離臺積電。三星很可能是世界上最大的科技公司之一，但它希望獲得更大份額的合約制造業(yè)，臺積電最近一直在吞并。目前，臺灣純合金代工廠占合約制造市場約50%，而三星則落后于不到15%。

為了搶占臺積電，這家韓國巨頭為其先進(jìn)的3nm柵極全能場效應(yīng)晶體管(GAAFET)工藝發(fā)布了工藝設(shè)計套件，以便潛在客戶盡早開始艱難的設(shè)計工作需要在全新的超級節(jié)點上創(chuàng)建芯片。

微不足道的3nm工藝是三星節(jié)目中第一個超越現(xiàn)有FinFET晶體管設(shè)計并進(jìn)入GAA布局的節(jié)點。與FinFET相比，Gate-All-Around晶體管可以更好地控制電流，特別是在較小規(guī)模的情況下。

在韓國聯(lián)合通訊社報道，最近三星代工論壇，在圣克拉拉，它邀請了800層半導(dǎo)體的BOD和顧客看到它的新工藝技術(shù)的進(jìn)步舉行。該公司表示，三星正在“積極推廣”其新工藝技術(shù)，以趕上臺積電，并削減其利潤豐厚的50%市場份額。

3nm GAA工藝并不是該公司唯一購買的工藝，還有另外四個FinFET工藝節(jié)點可用之前我們進(jìn)入了這種奇特的小型平版印刷術(shù)，所有這些都采用了新的極紫外(EUV)技術(shù)。三星還擁有7nm，6nm，5nm和4nm節(jié)點，但我們還不能完全確定它們是否都是同一基本工藝的衍生物。

臺積電擁有7nm +和6nm節(jié)點，作為AMD用于Ryzen 3000處理器和即將推出的Radeon Navi顯卡的7nm工藝的衍生產(chǎn)品。這意味著后續(xù)設(shè)計將或多或少地彼此兼容，從而大大縮短了制造轉(zhuǎn)移到更先進(jìn)節(jié)點的時間。

然而，臺積電的5nm工藝是一種全新的設(shè)計，需要采用全新的方法來構(gòu)建基于光刻的芯片，可能使其成本更高，并且公司需要更長的時間才能為新節(jié)點準(zhǔn)備好芯片。

什么時候出現(xiàn)5NM硅?

然而，三星似乎保留了其所有四個FinFET節(jié)點的兼容性，這可能意味著它可能將產(chǎn)品從4nm的晶圓廠中淘汰出局，而臺積電仍然在工廠門口擠壓5nm。兩家公司的目標(biāo)都是在2020年上半年大規(guī)模生產(chǎn)各自的5nm節(jié)點，但三星的客戶可能會更快地轉(zhuǎn)換到4nm。這可能會給三星帶來一些過程領(lǐng)先優(yōu)勢，并可能有利于市場份額。

這可能是臺積電董事會最近為其先進(jìn)節(jié)點制造業(yè)批準(zhǔn)了近40億美元額外資金的原因。這筆資金專門用于擴(kuò)展和升級臺積電的先進(jìn)節(jié)點容量以及持續(xù)的研發(fā)。

如果臺積電開始感受到熱度，并對即將來臨的硅片猛攻做出反應(yīng)，那么三星的規(guī)模就會隨之而來。