在競(jìng)爭(zhēng)1nm芯片方面 英特爾落后三星兩到三年

到2021年，三星預(yù)計(jì)將在先進(jìn)工藝生產(chǎn)方面領(lǐng)先于代工廠競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電，并領(lǐng)先于技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾兩到三年。當(dāng)這家韓國(guó)科技巨頭在兩年后大規(guī)模開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米柵極全光刻時(shí)，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手可能會(huì)爭(zhēng)先恐后地追趕，三星可能會(huì)通過其新設(shè)計(jì)消除大型芯片制造合同。

目前臺(tái)積電正在清理高性能PC芯片制造方面，AMD正在為其即將推出的Ryzen 3000處理器以及即將推出的AMD Navi顯卡采用7nm工藝批發(fā)。它也致力于Zen 3 CPU的7nm +工藝。Nvidia也有望將臺(tái)積電用于其下一代圖形技術(shù)，但據(jù)報(bào)道已經(jīng)開始與三星合作開發(fā)高級(jí)節(jié)點(diǎn)。

但是，如果三星確實(shí)能夠?qū)⑵浼夹g(shù)推向臺(tái)積電的流程超過12個(gè)月，那么合同工作的更多內(nèi)容可能會(huì)開始從臺(tái)灣過濾到韓國(guó)。

這正是三星希望如何發(fā)揮它的作用，擴(kuò)大其代工廠面，迫使臺(tái)積電成為目前排名第一的50%市場(chǎng)份額的球員。由于需求下降DRAM和NAND閃存制造的推動(dòng)，三星預(yù)計(jì)將在2019年再次讓半導(dǎo)體市場(chǎng)進(jìn)入英特爾領(lǐng)先，這也必將為這一代工廠優(yōu)勢(shì)的推動(dòng)增添一些額外的動(dòng)力。

在三星鑄造論壇上，三星鑄造論壇宣布該公司已經(jīng)為其潛在客戶提供了3nm全能門(GAA)技術(shù)的工藝設(shè)計(jì)套件，三星一直在努力打擊業(yè)內(nèi)人士，以應(yīng)對(duì)其面臨的激烈競(jìng)爭(zhēng)。在市場(chǎng)上。

咨詢公司國(guó)際商業(yè)策略公司(International Business Strategies)的亨德爾•瓊斯(Handel Jones)表示，“三星在GAA領(lǐng)先于臺(tái)積電大約12個(gè)月。”“英特爾可能比三星落后兩到三年。”

這是因?yàn)?，雖然英特爾和臺(tái)積電等公司都在研究GAA晶體管本身，但三星一直致力于專有版本，它稱之為多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(如果你的簡(jiǎn)潔，則稱為MBCFET)。而不是其他公司的GAAFET設(shè)計(jì)的納米線構(gòu)造，三星使用納米片，這降低了工藝復(fù)雜性并允許使用更大的每堆電流。它還具有更好的芯片面積利用率，并且可能允許每個(gè)晶體管更多的堆疊納米片以提高性能。

MBCFET設(shè)計(jì)還兼容三星現(xiàn)有的工藝工具和生產(chǎn)方法。它用于制造電流型FinFET設(shè)計(jì)的相同套件應(yīng)該可用于采用GAA晶體管，這將縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并降低工藝的成本效率。

就直接的FinFET與MBCFET而言，與7nm FinFET設(shè)計(jì)相比，三星承諾將功耗降低50%，性能提高30%，面積減少約45%。

這個(gè)過程將在2021年達(dá)到批量生產(chǎn)，可能是性能較低的移動(dòng)處理器，高端GPU和CPU預(yù)計(jì)將在2022年推出。如果AMD繼續(xù)遵循目前的節(jié)奏，可能會(huì)有來自臺(tái)積電的轉(zhuǎn)換3英寸MBCFET三星設(shè)計(jì)適用于Zen 5.雖然可能會(huì)有點(diǎn)期待......

但從那里開始，三星已經(jīng)開始尋求基于MBCFET技術(shù)的2nm制造技術(shù)，其可見度達(dá)到1nm甚至更高。在那之后，我們將不得不開始提出新的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)。