美光削減 DRAM 和 NAND 產(chǎn)量以減少價格下跌

由于對商品存儲器的需求迅速惡化和價格下降，美光立即將3D NAND 和 DRAM 的晶圓啟動量與上一季度相比減少了 20%。該公司現(xiàn)在預計其 3D NAND 比特產(chǎn)量在下一個日歷年將微不足道地增長，而其 DRAM 比特產(chǎn)量將在 2023 年減少。

為了應對 3D NAND 和 DRAM 內(nèi)存需求放緩的問題，與截至 2022 年 9 月 1 日的 2022 財年第四季度相比，美光將晶圓開工量減少約 20%。削減將涵蓋所有技術節(jié)點美光用于大批量生產(chǎn)，因此基本上該公司正在削減幾乎所有類型產(chǎn)品的產(chǎn)量。

美光正在進行的 2023 財年第一季度將于 12 月初結(jié)束，因此今天減少晶圓開工量幾乎不會對公司本季度或市場的業(yè)績產(chǎn)生重大影響。由于 3D NAND 和 DRAM 的生產(chǎn)和測試/封裝周期都相當長，市場將在幾周內(nèi)感受到美光減產(chǎn)的影響。與此同時，現(xiàn)貨價格可能會更快地對美光的公告做出反應。

但目前的晶圓開工削減將對公司整個 2023 財年的產(chǎn)出產(chǎn)生影響，因為美光預計其 DRAM 比特產(chǎn)量將下降，而其 3D NAND 比特產(chǎn)量將在“個位數(shù)百分比范圍內(nèi)”增長。

美光今年夏天開始生產(chǎn)232 層 3D NAND 存儲器，并于今天早些時候開始在其 1β (1-beta) 制造工藝上制造 LPDDR5X 存儲器。這兩個新的生產(chǎn)節(jié)點將使美光能夠降低成本并增加比特產(chǎn)量，但該公司在 9 月下旬警告說，它將減緩 232L 3D NAND 和 1β DRAM 產(chǎn)量的增長，以限制比特產(chǎn)量。Micron 的 232 層 3D NAND 設備具有 2,400 MT/s 的接口，旨在支持具有 PCIe 5.0 x4 接口的最快的 SSD，其順序讀取速度將超過目前可用的最佳 SSD，順序讀取速度為 12.4 GB/s。