美光推出 1β DRAM 工藝節(jié)點(diǎn)與LPDDR5X-8500 內(nèi)存

美光周二宣布了其用于 DRAM 的下一代 1β (1-beta) 制造技術(shù)

(在新標(biāo)簽中打開)(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。新節(jié)點(diǎn)將使美光能夠降低其 DRAM 的成本，同時(shí)提高其電源效率和性能。1β (1-beta) 將是該公司最后一個(gè)依賴深紫外 (DUV) 光刻且不使用極紫外 (EUV) 工具的 DRAM 生產(chǎn)工藝。

美光的 1β 制造工藝使用該公司的第二代高 K 金屬柵極 (HKMG)，與制造的類似 DRAM 器件相比，據(jù)稱可將 16Gb 內(nèi)存裸片的位密度提高 35%，并將電源效率提高 15%在公司的 1α 節(jié)點(diǎn)上。新的制造技術(shù)將特別適用于移動(dòng)、服務(wù)器和桌面應(yīng)用的大容量 DDR5 和 LPDDR5X 芯片。

與三星和 SK 海力士的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手不同，美光目前不使用 EUV 工具，因此必須依靠各種多圖案技術(shù)來(lái)不斷縮小 DRAM 單元。

“我們推動(dòng)了所有領(lǐng)域的創(chuàng)新，包括尖端的圖案倍增技術(shù)，”美光 DRAM 工藝集成副總裁 Thy Tran 說。“1β 還配備了新工藝、材料和先進(jìn)設(shè)備來(lái)推進(jìn)我們的存儲(chǔ)單元集成，以便我們可以縮小存儲(chǔ)單元陣列。[...] 為了最大限度地利用所有技術(shù)優(yōu)勢(shì)和我們的設(shè)計(jì)創(chuàng)新，我們還積極擴(kuò)展內(nèi)存單元的高度與尺寸和裸片中的其余電路有關(guān)，以節(jié)省空間并為給定密度帶來(lái)盡可能小的裸片，同時(shí)優(yōu)化功率和性能改進(jìn)。

美光將使用其領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)制造的第一款產(chǎn)品將是 16Gb LPDDR5X-8500 內(nèi)存，但最終該公司將開始將該節(jié)點(diǎn)用于其他產(chǎn)品。據(jù)說 16Gb LPDDR5X 芯片提供增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)電壓和頻率縮放擴(kuò)展內(nèi)核 (eDVFSC) 電壓控制技術(shù)以節(jié)省功耗。