三星公布路線圖：2027年DDR6將突破10GBPS

據(jù) computerbase 稱，三星在 2022 年三星代工論壇活動上介紹了其內(nèi)存路線圖。如下圖所示，三星將在即將到來的2023年進(jìn)入1bnm工藝階段。此外，存儲芯片容量將達(dá)到24Gb(3GB)-32Gb(4GB)。此外，本機(jī)速度將為 6.4-7.2Gbps。顯存方面，新一代GDDR7顯存將于明年問世。因此，新一代 AMD 和 Nvidia 顯卡的中期改款可能會使用 GDDR7 顯存。

此外，三星還提出了一些長遠(yuǎn)的設(shè)想。該公司計劃在 2026 年推出DDR6 內(nèi)存，并在 2027 年實現(xiàn)原生 10Gbps 速度。三星還公布了其閃存路線圖，預(yù)計 2024 年推出 V9 NAND 芯片。

三星在之前的 2022 年技術(shù)日活動中指出，其第九代 V-NAND 正在開發(fā)中。根據(jù)公司的時間表，這款芯片將于 2024 年進(jìn)入量產(chǎn)階段。到 2030 年，公司設(shè)想堆疊超過 1000 層 NAND，以更好地支持未來的數(shù)據(jù)密集型技術(shù)。它還宣布，全球最高容量的 1Tb TLC V-NAND 將于今年年底向客戶提供。

三星在 40 多年內(nèi)生產(chǎn)了 1 萬億 GB 的內(nèi)存

在 2022 年三星技術(shù)日活動上，三星電子總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人 Jung-bae Lee 表示，該公司在 40 多年中總共生產(chǎn)了 1 萬億 GB 的內(nèi)存。有趣的是，1 萬億 GB 中約有一半是在過去三年中產(chǎn)生的。

三星聲稱其在 DRAM 和 NAND 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位分別為 30 年和 20 年。目前，三星正在開發(fā)第五代 10nm 級 (1b) DRAM。它還在開發(fā)第八代和第九代垂直 NAND (V-NAND)。該公司承諾在未來十年繼續(xù)提供最強(qiáng)大的內(nèi)存技術(shù)組合。