長鑫存儲開始量產(chǎn)18.5納米DRAM初期月產(chǎn)10萬片晶圓詳情如何

2024-01-27 15:30:44 編輯：司雁濤來源：

導(dǎo)讀有消息稱長鑫存儲，建在合肥的新工廠已經(jīng)開始進(jìn)行18 5納米工藝的DRAM芯片的批量生產(chǎn)。合肥工廠一期目前已經(jīng)基本上接近滿負(fù)荷進(jìn)行生產(chǎn)，每個

有消息稱長鑫存儲，建在合肥的新工廠已經(jīng)開始進(jìn)行18.5納米工藝的DRAM芯片的批量生產(chǎn)。合肥工廠一期目前已經(jīng)基本上接近滿負(fù)荷進(jìn)行生產(chǎn)，每個月的產(chǎn)量將可以到10萬片晶圓。

合肥工廠二期的擴建工程預(yù)計完成的時間是2024年底，屆時每個月的產(chǎn)量將會增加4萬片晶圓。長鑫存儲的DRAM總產(chǎn)能，二期擴建完成之后，在全球總規(guī)模中所占的比例將會達(dá)到10%。一直以來長興存儲都專注于進(jìn)行DRAM存儲的生產(chǎn)和研發(fā)，長江存儲則專注于進(jìn)行NAND閃存的生產(chǎn)和研發(fā)，兩家公司通過不同的戰(zhàn)略布局，將發(fā)展的步伐進(jìn)一步加快。

長江存儲在產(chǎn)能方面雖然面臨著全面的限制，但是由于現(xiàn)在已經(jīng)停止了關(guān)鍵設(shè)備的進(jìn)口，建立在本土工具和材料供應(yīng)鏈方面也存在著諸多的挑戰(zhàn)。但是在研發(fā)方面，該公司依然取得了新的進(jìn)展。不僅推出了超過300層的NAND閃存，還同時推出了120層的新產(chǎn)品，目標(biāo)就是將外部不利的因素克服，使中國的半導(dǎo)體能力不斷的向前發(fā)展。