三星芯片制造部門突破：3納米工藝良率達60%，超越臺積電

2023-07-18 14:05:53 編輯：東方星舒來源：

導讀根據(jù)Hi Investment & Securities機構(gòu)最近發(fā)布的報告，據(jù)報道，三星旗下的芯片制造部門Samsung Foundry在3納米工藝上的良率達到了60%，...

根據(jù)Hi Investment & Securities機構(gòu)最近發(fā)布的報告，據(jù)報道，三星旗下的芯片制造部門Samsung Foundry在3納米工藝上的良率達到了60%，高于臺積電的55%。

報道稱，三星正積極發(fā)展3納米工藝，不斷提升生產(chǎn)工藝和良率。目前，他們已經(jīng)將良率提高到了60%。據(jù)該媒體認為，三星在超先進芯片制造技術(shù)方面將超過臺積電。

報告中還指出，三星目前在4納米工藝方面的良率為75%，與臺積電的80%存在一定差距。然而，通過加大對3納米工藝的發(fā)展力度，三星有望在未來超越臺積電。

報告還指出，由于臺積電的大部分訂單都被蘋果預訂，英偉達、高通等公司對三星的第二代3納米（SF3）工藝表現(xiàn)出興趣。

此前，IT之家曾報道了三星旗下的芯片制造部門Samsung Foundry在SFF 2023上公布的最新工藝技術(shù)路線圖。根據(jù)該公司的計劃，他們將于2025年推出2納米級的SF2工藝，并于2027年推出1.4納米級的SF1.4工藝。同時，該公司還公布了SF2工藝的一些特性。

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