突破摩爾定律極限 在芯片之上蓋樓房 NBD對(duì)話科研團(tuán)隊(duì)

AI行業(yè)中在GPT爆火之后出現(xiàn)了爆發(fā)式增長(zhǎng)，這其中也有著巨大的算力需求，芯片的研發(fā)也由此不斷的推動(dòng)，目前在先進(jìn)芯片的制程方面幾乎已經(jīng)接近了極限，如何進(jìn)一步將晶體管密度不斷的提高，也成為了在半導(dǎo)體行業(yè)作出研發(fā)極為核心的一項(xiàng)議題。

麻省理工大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)研發(fā)硅基晶圓上生長(zhǎng)二維材料晶體管這一技術(shù)，使得在未來(lái)很可能將晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)多層的堆疊，這一次的研究成果也非常適合新型的材料以及傳統(tǒng)硅基電路之間快速有效融合起來(lái)，柔性的二維材料能夠整合在多個(gè)表面之上，未來(lái)很可能在衣服上也能夠整合芯片。

芯片在研發(fā)的歷史上整個(gè)過(guò)程都較為遵守摩爾定律，每18個(gè)月到兩年時(shí)間在芯片研發(fā)的性能上都會(huì)達(dá)到翻一倍的效果，這意味著晶體管密度會(huì)越來(lái)越高，先進(jìn)制成的量產(chǎn)芯片已成功進(jìn)入到了3納米這一范圍當(dāng)中，未來(lái)會(huì)繼續(xù)向1納米這一個(gè)規(guī)格進(jìn)軍。

但依1納米的制成也通常被認(rèn)為根據(jù)摩爾定律情況下增長(zhǎng)的極限情況，因此芯片研究性也對(duì)于超薄的二維材料在不斷的探索，從而去制造晶體管利用能夠不斷疊加的這一方式將晶體管的密度再次做出新的突破。

此前科學(xué)家也曾經(jīng)嘗試過(guò)將二維材料生長(zhǎng)到晶圓體上，但是利用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法，過(guò)程所需要的溫度要達(dá)到600攝氏度，但一到達(dá)400攝氏度時(shí)，電路以及硅晶體管就會(huì)有損壞的現(xiàn)象，高溫所造成的破壞一直也是研究方面的一個(gè)障礙，如果在其他地方將二維材料合成之后，做出移植后又有性能損耗相關(guān)的問(wèn)題。