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我國在半導(dǎo)體科技方面被國際力量層層加碼限制仍然取得了突破性的進(jìn)展,在去年國慶節(jié)之后美國對于高端的3D NAND芯片和DRAM芯片的控制力度進(jìn)一步加強,在上個月荷蘭還宣布對深紫外光刻機等半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口進(jìn)行管制,日本也新增加了23種對于出口設(shè)備的管制,這也表示國內(nèi)的半導(dǎo)體公司發(fā)展在未來充滿艱難。
資本市場的狂歡
半導(dǎo)體設(shè)備的投資也引起了股票方面的劇烈變化,國內(nèi)生產(chǎn)刻蝕設(shè)備的中微公司在一天之內(nèi)股價上漲幅度就達(dá)到12%,去年的營業(yè)收入和歸母凈利潤同比增長分別達(dá)到52%和16%,光馳半導(dǎo)體的半導(dǎo)體原子層鍍膜和刻蝕設(shè)備項目在一期也已經(jīng)封頂,預(yù)計建成之后產(chǎn)能接近5臺刻蝕機,這也表示我國的半導(dǎo)體設(shè)備公司目前已經(jīng)具備了一定的競爭力,然而和世界市場相比,現(xiàn)在占有的份額仍然不算多。
做好選擇很重要
光刻和蝕刻是集成電路的生產(chǎn)過程中使用范圍最廣泛、重復(fù)性最多的工藝,而且刻蝕機在生產(chǎn)線當(dāng)中占據(jù)著很大的成本比重,經(jīng)歷2019年的行業(yè)需求萎縮之后,現(xiàn)在這一領(lǐng)域的需求又出現(xiàn)了周期性的增長,對于電子產(chǎn)品的需求進(jìn)一步升高也表示著這一行業(yè)又出現(xiàn)了新的競爭點,預(yù)計未來三年中刻蝕設(shè)備的整體增長速度都會處于比較高的水平,蝕刻機的生產(chǎn)技術(shù)比較復(fù)雜,生產(chǎn)門檻也比較高,做出合適的選擇至關(guān)重要,現(xiàn)在先進(jìn)的工藝芯片受到波長的限制,這也表示生產(chǎn)過程中要用到多重模板工藝,對于生產(chǎn)車間的要求也是更高的挑戰(zhàn),還要進(jìn)一步提升相關(guān)設(shè)備的生產(chǎn)水平,這也是一大挑戰(zhàn)。
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