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在紐約舉行的一次活動中,高通公司揭開了其充電技術(shù)最新進(jìn)展的序幕:Quick Charge 4.0。在先前的Quick Charge技術(shù)成功的基礎(chǔ)上,Quick Charge 4.0承諾提供更快的充電時間和更高的效率水平,從而使移動消費(fèi)者花費(fèi)更少的時間在墻上。
高通公司發(fā)現(xiàn),尋找新智能手機(jī)時人們最關(guān)注的四個問題中的三個與電池容量或電池充電速度有關(guān),他們的目標(biāo)是利用Quick Charge 4.0繼續(xù)改善其強(qiáng)大的市場地位,有150多家公司支持快速充電,通過幫助緩解這些恐懼。
高通Quick Charge 4.0Quick Charge 4.0聲稱僅用5分鐘的充電時間即可將使用Qualcomm Snapdragon 835芯片的旗艦智能手機(jī)的使用時間延長5小時,而高通則將其提高為“ 5比5”。高通聲稱,僅需15分鐘的充電時間,便可以為手機(jī)快速充電,最高可達(dá)到50%的電池電量。
與Quick Charge 3.0相比,Qualcomm再次改進(jìn)了其Dual Charge并行充電技術(shù)(現(xiàn)稱為“ Dual Charge ++”),以在最高5攝氏度的溫度下提供高達(dá)20%的更快充電速度和30%的更高效率。超越了先前的技術(shù)。
Quick Charge 4.0還具有高通公司的第三版INOV(最佳電壓的智能協(xié)商)電源管理算法。該版本的INOV包含實(shí)時熱管理,高通公司稱其為技術(shù)行業(yè)之首。INOV 3.0通過為當(dāng)前的熱條件確定和選擇最佳的功率傳輸水平來專注于優(yōu)化。
快速充電4.0的主要重點(diǎn)是改善安全性和保護(hù)功能,并添加了多個附加保護(hù)層以幫助防止電池過度充電。Quick Charge 4.0保留了許多現(xiàn)有功能,例如3層過壓保護(hù),3層過流保護(hù)和4層過溫保護(hù),并為它們補(bǔ)充了新功能,例如能夠檢測電壓的變化。使用的電纜的質(zhì)量和狀況。
不過,最重要的變化之一是增加了與USB Power Delivery(USB PD)的兼容性,這是在更好的時候出現(xiàn)的,緊隨Google的“強(qiáng)烈建議”,即設(shè)備僅支持充電與新的Android 7.0兼容性文檔中的USB PD兼容的方法 (有一點(diǎn)暗示Google將來“可能需要所有C型設(shè)備以支持與標(biāo)準(zhǔn)C型充電器的完全互操作性”)。
為了獲得最佳的QC 4.0性能,高通還推出了兩種新的電源管理IC,即SMB1380和SMB1381。這些PMIC專為低阻抗而設(shè)計(jì),峰值效率高達(dá)95%,并支持電池差分感應(yīng)等高級功能。SMB3180 / 1將于2016年底上市。
從Qualcomm Snapdragon 835開始,下一代Qualcomm Snapdragon處理器將采用Qualcomm的Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)。Snapdragon 835預(yù)計(jì)將于2017年上半年開始在商用設(shè)備中發(fā)售。
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