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三星還指出,10nm工藝比以前的14nm工藝效率提高了30%,性能提高了27%,功耗降低了40%。該公司使用了包括三重圖案在內的先進技術來實現雙向路由。
這家韓國公司還提到,性能增強的第二代10LPP處理器將在明年下半年投入量產。
三星電子鑄造業(yè)務執(zhí)行副總裁Jong Shik Yoon說:“我們將繼續(xù)努力創(chuàng)新縮放技術,并為我們的客戶提供差異化??的整體解決方案。”
三星還宣布,采用10納米制程技術的SoC將于明年年初和整個2017年投放市場。這可能意味著采用10納米制程的芯片可能會包含在即將于明年2月宣布的Galaxy S8中。年。
上個月的一份報告確實說,Galaxy S8可以由帶有ARM的Mali-G71圖形處理單元的Exynos 8895 CPU供電。據說三星可能會在即將到來的旗艦中使用基于10nm的Exynos芯片組。搭載Exynos 8895 CPU 的Galaxy S8變體將在某些地區(qū)推出,而搭載Snapdragon 830芯片組的Galaxy S8將會進入其他。
Mali-G71圖形處理單元將在850MHz下運行,并且與Vulkan兼容。Galaxy S8可以提供兩種變體,一種帶有2k 5.1英寸曲面Super AMOELD顯示屏,另一種帶有4k 5.5英寸屏幕。智能手機還可以配備4GB RAM。
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