JEDEC發(fā)布DDR5 SDRAM最終規(guī)范

固態(tài)技術(shù)協(xié)會JEDEC 宣布了最終的DDR5 SDRAM規(guī)范。這一新標(biāo)準(zhǔn)有望提供兩倍的內(nèi)存帶寬，并支持四倍密度芯片，并具有更高的電源效率(1.1V Vdd)。此外，DDR5 DIMM完全可以自己在雙通道模式下運行，同一模塊上有兩個40位完全獨立的子通道。

簡而言之，DDR5將：

最大管芯密度翻倍至64Gbit，可在生產(chǎn)趕上時實現(xiàn)高達(dá)2TB的DIMM容量

提供的最大標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)速率為6.4Gbps-比DDR4的官方3.2Gbps最大速度快50%。預(yù)計首批DDR5模塊將以4.8Gbps的速度啟動。最終，DDR5制造商可能會破壞最大6.4Gbps的數(shù)字。

由于半導(dǎo)體技術(shù)不允許更快的存儲時鐘，DDR5將使用更大的并行度來提高性能。因此，DDR5將為每個DIMM提供兩個獨立的32位數(shù)據(jù)通道(40位ECC)，但是該標(biāo)準(zhǔn)仍然需要安裝DIMM對。通道的突發(fā)長度從8個字節(jié)增加到16個字節(jié)。

DDR4的工作電壓從1.2V降至1.1V。

內(nèi)存的電壓調(diào)節(jié)將從主板上的這些DIMM中刪除。使用這種方法，您的主板不需要為使內(nèi)存配置最大化而超標(biāo)。但是，對于消費者來說，成本轉(zhuǎn)移是否可行還有待觀察。

它將保持與DDR4相同的288針數(shù)，但由于引腳排列配置不同，主要由于模塊上的雙通道設(shè)計，因此不能期望在舊的DDR4插槽中使用它們。

JEDEC表示，最終用戶應(yīng)該期望從現(xiàn)在起的12到18個月內(nèi)將有首批DDR5包裝設(shè)備，因此我們正在研究2021年下半年。英特爾和AMD都尚未正式宣布對DDR5的平臺支持，但仍處于初期。

JEDEC關(guān)于最終DDR5規(guī)范的新聞稿中確實包含來自英特爾，美光，三星和SK hynix等公司的推薦。后者證實它一直在與DDR5生態(tài)系統(tǒng)的合作伙伴合作，并希望在今年下半年確保大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)施。與此同時，美光宣布了其DDR5技術(shù)啟用計劃。