臺(tái)積電有望在明年推出4nm產(chǎn)品

臺(tái)積電在技術(shù)研討會(huì)和開放式創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)生態(tài)系統(tǒng)論壇上介紹了最新進(jìn)展。今年，臺(tái)積電最大的年度活動(dòng)在網(wǎng)上舉行。來自北美，歐洲，，和的5000多人已注冊(cè)參加。活動(dòng)于8月24日開始，并將于8月26日結(jié)束。

臺(tái)積電表示，該公司已經(jīng)開始批量生產(chǎn)5nm標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，并且產(chǎn)品成品率的增長(zhǎng)速度快于上一代技術(shù)流程。N5處理技術(shù)與以前的N7技術(shù)相比，性能提高了15%，功耗降低了30%，邏輯密度提高了80%。臺(tái)積電計(jì)劃在最初的N5工作流的基礎(chǔ)上，于2021年發(fā)布N5P的改進(jìn)版本，將速度提高5%，并將功耗降低10%。

臺(tái)積電不再接受華為訂單該公司還提供了5nm系列工藝的最新成員N4的預(yù)覽版。N4工藝技術(shù)將進(jìn)一步提高性能，功耗和密度。除了通過減少掩模數(shù)量來簡(jiǎn)化工藝之外，N4還提供了一條易于遷移的路徑，并能夠利用全面的5nm設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)。使用N4處理技術(shù)的高風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)將于2021年第四季度開始，并于2022年開始批量生產(chǎn)。

按照時(shí)間表，下一代技術(shù)流程-N3的開發(fā)正在進(jìn)行中。與N5相比，它將提供多達(dá)15%的性能提升，多達(dá)30%的功耗降低以及多達(dá)70%的邏輯密度。