三星向世界介紹了DDR4內(nèi)存承諾了前所未有的電力效率

三星除了是一家消費(fèi)電子巨頭之外，也是世界上最重要的計算機(jī)部件制造商之一，事實(shí)上，它于1997年發(fā)明了DDRRRAM，繼2001年的DDR2和2005年的DDR3之后。 鞏固其地位，三星宣布它已經(jīng)完成了該行業(yè)第一個DDR4D RAM模塊的開發(fā)，使用30nm級工藝技術(shù)。

在超低壓(1.2V)下實(shí)現(xiàn)前所未聞的數(shù)據(jù)傳輸速度(2.133Gbps)，DDR4模塊已被提供給控制器制造商進(jìn)行最終測試。

[RELATED_ARTICLE]與30nm級工藝1.5V DDR3D RAM相比，新的DDR4D RAM模塊顯然將功耗降低到近40%。 這種功率效率在很大程度上是由于三星開發(fā)的偽開漏(POD)技術(shù)，它占用了DDR3RAM的大約50%的電流用于讀/寫過程。 新的電路結(jié)構(gòu)還允許大規(guī)模的速度提升，允許DDR4以1.6Gbps到3.2Gbps的速度運(yùn)行，幾乎是今天DDR3RAM的1.6Gbps和DDR2RAM的800Mbps的典型速度的兩倍。

在DDR4技術(shù)的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化之后，最新的RAM模塊將只能在下半年到達(dá)。 三星內(nèi)存部門總裁董秀軍在一份聲明中說：

三星一直積極支持IT行業(yè)的綠色記憶倡議，推出環(huán)保、創(chuàng)新的內(nèi)存產(chǎn)品，每年提供更高的性能和電力效率。 新的DDR4D RAM將建立更大的信心，我們的尖端綠色內(nèi)存，特別是當(dāng)我們引入四千兆DDR4基產(chǎn)品使用下一代工藝技術(shù)的主流應(yīng)用?！?/p>