NOR閃存市場(chǎng)與串行閃存市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)

根據(jù)WebFeet Research的最新市場(chǎng)數(shù)據(jù)，華邦電子在2019年的NOR收入排名中排名第一，市場(chǎng)份額為22.8%。為了支持這一使命，2019年出貨了超過(guò)30億個(gè)閃存，這是全球NOR閃存單元中27.3%的領(lǐng)導(dǎo)地位。此外，華邦電子自2012年以來(lái)一直是串行NOR閃存的頂級(jí)供應(yīng)商，在總收入$ 2.009 B中擁有27.1%的市場(chǎng)份額。憑借自己的12英寸晶圓制造設(shè)施，可滿足全球客戶不斷增長(zhǎng)的閃存需求在臺(tái)中市，它現(xiàn)在計(jì)劃在南部高雄市開(kāi)始建設(shè)第二個(gè)12英寸晶圓制造廠。

NOR閃存市場(chǎng)，特別是串行閃存持續(xù)增長(zhǎng)

WebFeet Research，Inc.創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alan Niebel表示：“全球串行NOR閃存的出貨量將繼續(xù)從2019年的20億美元增長(zhǎng)到2024年的28.9億美元。”串行閃存的先驅(qū)，現(xiàn)在是領(lǐng)先的Winbond NOR Flash的主要供應(yīng)商是串行閃存，憑借其產(chǎn)品和包裝創(chuàng)新，廣泛的產(chǎn)品組合和制造能力方面的創(chuàng)新，可以很好地利用這一市場(chǎng)增長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)。”

“我們對(duì)SpiFlash存儲(chǔ)器的普及感到非常高興，并成為全球最大的NOR閃存供應(yīng)商，”華邦閃存技術(shù)主管JW Park說(shuō)。“我們預(yù)計(jì)從2020年恢復(fù)后將進(jìn)一步增長(zhǎng)，并正在提高我們產(chǎn)品的產(chǎn)量，以應(yīng)對(duì)各種更高密度的應(yīng)用。”

適用于高密度應(yīng)用的先進(jìn)閃存技術(shù)

自2006年推出SpiFlash產(chǎn)品線以來(lái)，華邦已經(jīng)出貨了超過(guò)200億個(gè)串行閃存。在這段時(shí)間內(nèi)，該公司一直在不斷提高其閃存工藝技術(shù)和封裝能力。華邦電子于2011年推出了首款基于58nm的產(chǎn)品，現(xiàn)在提供一系列高密度58nm SpiFlash存儲(chǔ)器，涵蓋16Mb至1Gb的密度，3V和1.8V電源，采用各種封裝和知名芯片(KGD)解決方案，計(jì)劃到2021年升級(jí)到4x nm技術(shù)。與90nm Flash技術(shù)相比，58nm技術(shù)提供了更具成本效益，功能更豐富，性能更高的解決方案，主要用于512Kb至16Mb的低密度SpiFlash產(chǎn)品。以及針對(duì)主要客戶設(shè)計(jì)的幾種汽車(chē)應(yīng)用。由于應(yīng)用要求更高的串行閃存密度，華邦的閃存業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)將在2020年及以后進(jìn)一步增長(zhǎng)。推動(dòng)這一需求的主要應(yīng)用包括：手機(jī)，機(jī)頂盒，數(shù)字電視，電子游戲，可穿戴設(shè)備和聽(tīng)覺(jué)設(shè)備，電纜和DSL調(diào)制解調(diào)器，無(wú)線局域網(wǎng)，網(wǎng)絡(luò)，汽車(chē)，服務(wù)器，下一代游戲臺(tái)式機(jī)和5G。華邦電子現(xiàn)在提供3V和1.8V甚至更高密度的58nm 512Mb和1Gb NOR閃存，以滿足業(yè)界對(duì)更高密度存儲(chǔ)器的需求。有關(guān)產(chǎn)品和包裝的特定詳細(xì)信息，請(qǐng)聯(lián)系Winbond。電纜和DSL調(diào)制解調(diào)器，無(wú)線局域網(wǎng)，網(wǎng)絡(luò)，汽車(chē)，服務(wù)器，下一代游戲臺(tái)式機(jī)和5G。華邦電子現(xiàn)在提供3V和1.8V甚至更高密度的58nm 512Mb和1Gb NOR閃存，以滿足業(yè)界對(duì)更高密度存儲(chǔ)器的需求。有關(guān)產(chǎn)品和包裝的特定詳細(xì)信息，請(qǐng)聯(lián)系Winbond。電纜和DSL調(diào)制解調(diào)器，無(wú)線局域網(wǎng)，網(wǎng)絡(luò)，汽車(chē)，服務(wù)器，下一代游戲臺(tái)式機(jī)和5G。華邦電子現(xiàn)在提供3V和1.8V甚至更高密度的58nm 512Mb和1Gb NOR閃存，以滿足業(yè)界對(duì)更高密度存儲(chǔ)器的需求。