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科技動(dòng)態(tài):三星開(kāi)始生產(chǎn)重要的Galaxy S20 Ultra 5G組件

2022-05-09 00:50:02 編輯:解陽(yáng)菊 來(lái)源:
導(dǎo)讀 隨著科技的發(fā)展,很多新科技的誕生許多朋友無(wú)法了解,相信通過(guò)三星開(kāi)始生產(chǎn)重要的Galaxy S20 Ultra 5G組件這篇文章能幫到你,在和好朋友

隨著科技的發(fā)展,很多新科技的誕生許多朋友無(wú)法了解,相信通過(guò)三星開(kāi)始生產(chǎn)重要的Galaxy S20 Ultra 5G組件這篇文章能幫到你,在和好朋友分享的時(shí)候,也歡迎感興趣小伙伴們一起來(lái)探討。

不久之前,4GB內(nèi)存是旗艦Android智能手機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)配置。如今,旗艦店擁有12GB內(nèi)存和512GB三星Galaxy S20 Ultra 5G具備16GB內(nèi)存已經(jīng)很普遍。今天,三星宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)移動(dòng)行業(yè)首款包含16GB內(nèi)存的LPDDR5 DRAM封裝。該封裝用于Galaxy S20 Ultra,由八塊12Gb芯片和四塊8Gb芯片組成,這些芯片均由Sammy自己的代工廠使用第二代10nm工藝制造。

三星表示,新的16GB DRAM封裝將“以增加的容量來(lái)領(lǐng)導(dǎo)高端移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng),從而增加5G和AI功能,包括豐富的圖形游戲和智能攝影功能。”LPDDR5 DRAM封裝以每秒5500兆比特(Mbps)的速率傳輸數(shù)據(jù),比三星LPDDR4X DRAM封裝所實(shí)現(xiàn)的4266Mbps傳輸速率快1.3倍。16GB LPDDR5封裝可節(jié)能20%,容量是8GB LPDDR4X系統(tǒng)的兩倍。

三星將在下半年發(fā)布其16GB DRAM封裝的新版本,其傳輸速率提高17%

三星存儲(chǔ)器銷(xiāo)售與市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)副總裁Cheol Choi表示:“三星一直致力于將存儲(chǔ)器技術(shù)帶到最前沿,以使消費(fèi)者能夠通過(guò)移動(dòng)設(shè)備享受精彩的體驗(yàn)。我們很高興能恪守這一承諾。我們?yōu)槿蛟O(shè)備制造商提供的最新的頂級(jí)移動(dòng)解決方案,隨著今年晚些時(shí)候基于我們下一代工藝技術(shù)推出的新產(chǎn)品陣容,三星將能夠充分滿(mǎn)足全球客戶(hù)未來(lái)的內(nèi)存需求。”

價(jià)格最高的Galaxy S20 Ultra 5G版本包括三星的新16GB DRAM封裝

三星表示,業(yè)界最大的DRAM封裝提供的存儲(chǔ)容量是許多高端筆記本電腦和專(zhuān)注于游戲的PC的兩倍。說(shuō)到游戲,LPDDR5 16GB DRAM封裝可幫助用戶(hù)在玩手機(jī)游戲時(shí)體驗(yàn)更高的響應(yīng)速度并享受“超高分辨率圖形”。

制造商將在今年下半年開(kāi)始改進(jìn)該封裝的規(guī)格,開(kāi)始使用第三代10nm工藝制造用于16GB LPDDR5 DRAM封裝的芯片。這將使數(shù)據(jù)傳輸速度提高17%,達(dá)到6400Mbps。對(duì)于那些不知道的人,進(jìn)程號(hào)表示一個(gè)集成電路(IC)內(nèi)可以容納多少個(gè)晶體管。進(jìn)程數(shù)越小,IC內(nèi)的晶體管越多;具有更多晶體管數(shù)量的芯片通常將以更少的能量提供更快的性能。作為比較,Snapdragon 865移動(dòng)平臺(tái)由臺(tái)積電(世界上最大的獨(dú)立代工廠)使用其7納米工藝生產(chǎn)。A14 Bionic將于今年下半年生產(chǎn),將使用5nm工藝制造。

目前,三星和臺(tái)積電已經(jīng)制定了將其芯片制造工藝降至3nm工藝的路線圖。為了向您展示未來(lái)可能會(huì)發(fā)生什么,請(qǐng)考慮一下臺(tái)積電生產(chǎn)的7納米Apple A13 Bionic SoC,每個(gè)芯片中裝有大約85億個(gè)晶體管。據(jù)報(bào)道,將采用5nm工藝生產(chǎn)的A14 Bionic,每個(gè)芯片組中將塞滿(mǎn)150億個(gè)晶體管。

為了顯示三星和移動(dòng)行業(yè)的發(fā)展,該公司提供了一張圖表,顯示了其DRAM產(chǎn)品的歷史,該產(chǎn)品始于2009年,其256MB容量封裝是使用50nm 1Gb DRAM芯片生產(chǎn)的,數(shù)據(jù)傳輸速率為400Mbps 。到2014年12月,三星將生產(chǎn)4GB容量的封裝,該封裝采用LPDDR4 8Gb 20nm芯片以3200Mbps的速度傳輸數(shù)據(jù)。

去年9月,三星生產(chǎn)了12GB容量的DRAM封裝,該封裝使用了采用10nm工藝制造的LPDDR4X 24Gb DRAM芯片。順便說(shuō)一句,LPDDR的首字母縮寫(xiě)代表低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率,正如您可能已經(jīng)猜到的那樣,LPDDR5比LPDDR4芯片更快,能耗更低。


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