高通驍龍865關(guān)鍵規(guī)格在12月揭幕之前就已泄漏

高通公司的下一個(gè)移動(dòng)處理器版本即將發(fā)布。該芯片制造商將在下個(gè)月的12月3日至12月5日在夏威夷舉行其年度Snapdragon技術(shù)峰會(huì)。在正式揭幕之前，預(yù)期的下一代Snapdragon 865的關(guān)鍵規(guī)格已在線泄漏。

根據(jù)微博推特，Snapdragon 865將是八核CPU，基本時(shí)鐘速度為1.8GHz。據(jù)說該架構(gòu)帶有一個(gè)時(shí)鐘頻率為2.84GHz的單個(gè)Kryo Gold內(nèi)核以及三個(gè)頻率為2.42GHz的Kryo Gold(Cortex-A77)內(nèi)核。該信息與早先泄露的Geekbench基準(zhǔn)測試列表一致。

此外，引人注意的是，Snapdragon 865的性能將比Snapdragon 855高出20%，而GPU性能將比上一代提高17-20%。據(jù)報(bào)道，SD865中的Adreno 650 GPU將具有587MHz的更高時(shí)鐘。

根據(jù)GSMArena的說法，該芯片制造商可能已經(jīng)與三星合作，在7nm制造工藝上構(gòu)建了SoC。這是高通公司在Snapdragon 835之后首次將三星的旗艦SoC返回三星。自從高通信任臺(tái)積電創(chuàng)建其旗艦SoC芯片以來。

該報(bào)告還指出了三星使用的7nm制造工藝與臺(tái)積電使用的7nm制造工藝之間的差異。就上下文而言，三星可能會(huì)針對(duì)高通Snapdragon 865 SoC使用7納米EUV工藝，而臺(tái)積電(TSMC)將使用7納米FinFET工藝。7nm EUV工藝可能使SoC 15-20尺寸更小，同時(shí)改善功耗。

談到Snapdragon 865 SoC的發(fā)布，該處理器很可能會(huì)在2020年為所有旗艦智能手機(jī)提供動(dòng)力。該公司有望為Snapdragon 865推出兩種不同的變體。第一個(gè)將為普通的LTE市場提供4G調(diào)制解調(diào)器，第二個(gè)將具有4G調(diào)制解調(diào)器。 Snapdragon X55 5G調(diào)制解調(diào)器。