三星宣布推出全球首個512GBDDR5HKMG模塊

雖然許多人都知道三星是全球領(lǐng)先的電話制造商，但韓國人也在大力投資其他硬件，而本周，他們宣布了另一項重要成就。

三星已經(jīng)建立了世界上第一個使用High-K Metal Gate工藝技術(shù)的512GB DDR5模塊。

此技術(shù)也稱為HKMG，以前曾在邏輯半導體中使用，它可以在提高性能的同時將功耗降低多達13%。HKMG技術(shù)自2018年以來一直用于三星的GDDR6內(nèi)存，可創(chuàng)建專門為超級計算機中的高帶寬工作負載而構(gòu)建的內(nèi)存模塊。

三星表示，它可以很好地應(yīng)對AI和ML所執(zhí)行的任務(wù)，而且還可以應(yīng)對數(shù)據(jù)分析應(yīng)用程序。

三星的DDR5將采用傳統(tǒng)上用于邏輯半導體的高度先進的HKMG技術(shù)。隨著DRAM結(jié)構(gòu)的不斷縮小，絕緣層變薄，導致更高的泄漏電流。通過用HKMG材料代替絕緣子，三星的DDR5將能夠減少泄漏并達到新的性能高度。這款新內(nèi)存還將節(jié)省大約13%的電能，使其特別適用于能源效率日益重要的數(shù)據(jù)中心。”該公司解釋說。

DDR4速度的兩倍

該模塊使用硅通孔技術(shù)(也稱為TSV)來堆疊總共八個不同的16GB DRAM芯片。

“通過將這種類型的工藝創(chuàng)新引入DRAM制造，我們能夠為客戶提供高性能，高能效的內(nèi)存解決方案，以為醫(yī)學研究，金融市場，自動駕駛，智慧城市及其他領(lǐng)域所需的計算機提供動力，”三星電子DRAM內(nèi)存計劃/支持小組副總裁Young-Soo Sohn解釋說。

新模塊將DDR4的性能提高了兩倍以上，每秒可傳輸高達7200兆比特的數(shù)據(jù)。