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1、GaN即氮化鎵,屬第三代半導體材料,六角纖鋅礦結構。
2、GaN 具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性,是現(xiàn)在世界上人們最感興趣的半導體材料之一。
3、gan 基材料在高亮度藍、綠、紫和白光二極管,藍、紫色激光器以及抗輻射、高溫大功率微波器件等領域有著廣泛的應用潛力和良好的市場前景。
本文關于ingan的簡介就講解完畢,希望對大家有所幫助。
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