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新的平面晶體管超越了理論極限

一個(gè)由來(lái)自加利福尼亞大學(xué)和賴斯大學(xué)的研究人員組成的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)找到了一種方法來(lái)獲得一個(gè)平板晶體管，以對(duì)抗場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FETs)的理論限制。在他們發(fā)表在“自然”雜志上的論文中，該團(tuán)隊(duì)描述了他們的工作，以及為什么他們認(rèn)為這可能導(dǎo)致消費(fèi)設(shè)備具有更小的電子產(chǎn)品和更長(zhǎng)的電池壽命。與荷蘭伊拉斯謨MC大學(xué)醫(yī)學(xué)中心的Tomioka提供了一篇新聞和觀點(diǎn)文章，討論團(tuán)隊(duì)在同一期刊上所做的工作。正如Tomioka

2020-03-23 08:47:24

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