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韓國(guó)蔚山國(guó)家科學(xué)技術(shù)研究院(UNIST)的研究人員最近介紹了一種方法,用于生產(chǎn)薄而有圖案的過渡金屬雙胞脲薄膜,并將其集成到二維金屬半導(dǎo)體中。他們的合成技術(shù),發(fā)表在《自然電子》雜志上的一篇論文中,可以緩解現(xiàn)有的基于2d材料的電子產(chǎn)品的高接觸電阻所帶來的挑戰(zhàn)。 石墨烯是一種非常適合發(fā)展電子學(xué)的材料,自從石墨烯被發(fā)現(xiàn)以來,其他具有類似特性的二維層狀材料受到了廣泛關(guān)注。這些材料包括過渡金屬硫族化合物,
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